
簡要描述:華測(cè)儀器Huace-1450G半導(dǎo)體晶圓真空熱處理平臺(tái)設(shè)備的反射鏡采用高準(zhǔn)度曲率設(shè)計(jì),通過五軸加工系統(tǒng)制造,以維持更高的反射效率。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 華測(cè)儀器 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合 |
華測(cè)儀器Huace-1450G半導(dǎo)體晶圓真空熱處理平臺(tái)
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Huace-1450G半導(dǎo)體晶圓真空熱處理平臺(tái)由華測(cè)儀器生產(chǎn),是在真空環(huán)境下,對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼脑O(shè)備,主要用于消除應(yīng)力、優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)、增加電學(xué)性能。華測(cè)儀器經(jīng)過多年研發(fā),推出了采用高準(zhǔn)度、高反射率拋物面搭配高性能加熱源的解決方案,在升降溫過程中仍能保持穩(wěn)定均勻的溫度場,可實(shí)現(xiàn)寬范圍均熱區(qū)、高速加熱與高速降溫。樣品由石英管保護(hù),無氣氛污染,更適合半導(dǎo)體工藝使用。
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):Huace-1450G
產(chǎn)品尺寸:6寸晶圓或150 x 150mm產(chǎn)品
溫度范圍:RT ~ 1450°C
升溫速度:<100℃/s可編程(此溫度不含載盤的升溫速度)
<25℃/s(SiC載盤)
溫度均勻度:±5 °C ≤ 500 ℃
±1 % > 500 ℃
溫度控制重復(fù)性:±1 °C
溫控方式:PID 溫控
應(yīng)用領(lǐng)域
電子材料
半導(dǎo)體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫);
熱源薄膜形成;
激活離子注入后;
硅化物的形成;
陶瓷與無機(jī)材料
半導(dǎo)體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫);
陶瓷基板退火爐;
玻璃基板退火爐;

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