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新品發(fā)布：電阻分壓器發(fā)布時(shí)間：2026-01-30

華測(cè)儀器正式推出HCVD系列高壓分壓器，適用于實(shí)驗(yàn)室及制造廠對(duì)高電壓的測(cè)量。該系列產(chǎn)品可支持100kVdc、200kVdc或400kVdc的直流電壓測(cè)量，精度優(yōu)于0.5%。HCVD系列采用聚碳酸酯圓筒封裝，內(nèi)部集成一套匹配的金屬膜電阻，溫度系數(shù)低于25ppm。產(chǎn)品采用階梯式結(jié)構(gòu)設(shè)...

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2021
12-22

電弱點(diǎn)測(cè)試儀的試驗(yàn)電壓是多少？
電弱點(diǎn)測(cè)試儀是根據(jù)GB/T13542-92、IEC60674-2:1988電氣用塑料薄膜標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)計(jì)的高壓試驗(yàn)裝置。主要用于電氣用聚氨脂薄膜、塑料薄膜、聚丙烯薄膜等絕緣材料早給定直流電壓下每平方的擊穿點(diǎn)數(shù)。本機(jī)采用計(jì)算機(jī)控制，可對(duì)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速、采集、處理，并可存取...
2021
11-24

高溫四探針測(cè)試儀提高了薄膜電阻和體電阻率測(cè)量精度
高溫四探針測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。高溫四探針測(cè)試儀是測(cè)量電阻率的一種方法，測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)ā㈦娙?電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探...
2021
11-8

熱釋電系數(shù)測(cè)試儀的應(yīng)用
熱釋電系數(shù)測(cè)試儀是利用紅外線來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的一種儀器。主要是由一種高熱電系數(shù)的材料，如鋯鈦酸鉛系陶瓷、鉭酸鋰、硫酸三甘鈦等制成探測(cè)元件。人體都有恒定的體溫，一般在37度，所以會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)10UM左右的紅外線，被動(dòng)式紅外探頭就是靠探測(cè)人體發(fā)射的10UM左右的紅外線而進(jìn)行工作的。人...
2021
10-22

高溫絕緣電阻測(cè)試儀的使用和注意事項(xiàng)
高溫絕緣電阻測(cè)試儀采用開發(fā)電子保護(hù)系統(tǒng)，提高了設(shè)備的性；選用熱電偶保定溫度的采集有效值、高溫絕緣電阻測(cè)試儀采用的SPWM電子升壓技術(shù)，電壓輸出穩(wěn)定性好。配備電壓、電流傳感器以保證試驗(yàn)數(shù)據(jù)的有效性。高溫絕緣電阻測(cè)試儀使用注意事項(xiàng)：1、絕緣電阻表的發(fā)電機(jī)電壓等級(jí)應(yīng)與被測(cè)物的耐壓水平相...
2021
9-23

電弱點(diǎn)測(cè)試儀安不？
電弱點(diǎn)測(cè)試儀通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速、采集、處理，并可存取、顯示、打印。電弱點(diǎn)測(cè)試儀是根據(jù)IEC60674-2：2009電氣用塑料薄膜第2部分：試驗(yàn)方法及其第1次修正（2001）和GB/T13542-92《電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》而設(shè)計(jì)的高壓試驗(yàn)裝置。主要...
2021
8-16

高溫介電溫譜儀在陶瓷材料高溫介電測(cè)試中的應(yīng)用
高溫介電溫譜儀主要用于絕緣資料在不同溫度不同頻率下的電學(xué)測(cè)驗(yàn)，體系包含高溫爐膛，阻抗剖析儀，微電流表，夾具，測(cè)驗(yàn)軟件于一體，可測(cè)驗(yàn)資料的介電常數(shù)，介質(zhì)損耗，阻抗譜Co-Co圖，機(jī)電耦合系數(shù)等，同時(shí)可剖析被測(cè)樣品隨溫度，頻率，時(shí)刻變化的曲線，測(cè)驗(yàn)治具能夠根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)驗(yàn)項(xiàng)目要求選購(gòu)。...

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